上半年預(yù)告出爐！斯達(dá)半導(dǎo)、露笑科技等多家半導(dǎo)體公司業(yè)績(jī)預(yù)增
近日，半導(dǎo)體上市公司陸續(xù)發(fā)布2022年半年度業(yè)績(jī)預(yù)增公告。
2022-07-28
SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過(guò)，如低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等，顯而易見(jiàn)這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過(guò)其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2022-07-28
英飛凌采訪：第三代半導(dǎo)體與硅器件將長(zhǎng)期共存
相較于傳統(tǒng)的硅材料，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性。
2022-07-28
隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱的要求越來(lái)越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作性能。
2022-07-28
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